新聞概要

· 已向主要客戶供應12層HBM4E樣品

· 引腳速率最高可達16Gbps，同時改善性能與能效

· 采用先進MR-MUF技術，熱阻降低17%，顯著增強穩定性

· 「依托業界領先的技術競爭力與量產能力，持續引領AI創新，前瞻性地實現市場所需價值」

韓國首爾，2026年6月18日——SK海力士（或「公司」，https://www.skhynix.com）18日宣佈，公司已向主要客戶供應12層HBM4E樣品，該產品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。

SK海力士表示：「憑藉長期以來累積的HBM先導開發能力和量產經驗，公司成功向客戶供應12層HBM4E樣品。我們將與主要客戶緊密協作，致力於確保按時量產。」

此次新產品較上一代HBM4，性能和能效均取得了跨越式升級。其引腳速率最高可達16Gbps，並將能效提高20%以上，顯著提升了AI訓練和推理所必需的數據處理能力。

此外，HBM4E通過新一代接口和設計優化，有效降低了數據傳輸延遲，即使在高帶寬環境下也能保持穩定運行。公司預計，這將能進一步提升下一代AI數據中心和大規模計算系統的處理效率。

公司在HBM4E產品採用先進（Advanced）MR-MUF*工藝，通過12層堆疊實現48GB容量的同時，進一步提高了結構穩定性。與HBM4相比，其熱阻降低了約17%，確保了在高性能計算環境中的穩定運行。

* 批量回流模制底部填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）：在堆叠半導體晶片後，為了保護晶片間的電路，在其中填充液體保護材料，並使其固化。

SK海力士憑藉在HBM3、HBM3E和HBM4上累積的量產和供應經驗，始終能夠適時提供符合客戶需求的記憶體解決方案。公司將繼續依託經市場認可的品質和供應能力，針對HBM4E產品也繼續與客戶攜手解決AI系統瓶頸問題，全力支持下一代基礎設施的構建。

SK海力士開發總管（CDO，Chief Development Officer）安炫社長表示：「我們將把迄今為止所累積的業界領先技術競爭力和量產能力延續至HBM4E產品，鞏固持續引領AI創新基礎。公司將通過與合作夥伴的緊密協作，以前瞻佈局實現市場所需價值，進一步鞏固作為『全方位面向AI的記憶體創造者』的技術領導地位。」

關於SK海力士

SK海力士總部位於韓國，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM（動態隨機存取記憶體）和NAND Flash（NAND快閃記憶體）等半導體產品。公司於韓國證券交易所上市，其全球託存股份於盧森堡證券交易所上市。

若想了解更多，請點擊公司網站www.skhynix.com, news.skhynix.com.cn。

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